摘要：:臺(tái)積電晶圓代工,臺(tái)積電漲【CNMO新聞】8月26日，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)，由于通脹等各方面因素導(dǎo)致本錢上升，業(yè)內(nèi)傳出，臺(tái)積電來(lái)歲各制程報(bào)價(jià)至少漲3%，成熟制程大概上漲6%。對(duì)此，不外臺(tái)積電昨日回應(yīng)稱，對(duì)相
【CNMO新聞】8月26日，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)，由于通脹等各方面因素導(dǎo)致本錢上升，業(yè)內(nèi)傳出，臺(tái)積電來(lái)歲各制程報(bào)價(jià)至少漲3%，成熟制程大概上漲6%。
臺(tái)積電
對(duì)此，不外臺(tái)積電昨日回應(yīng)稱，對(duì)相關(guān)價(jià)值議題不評(píng)論。
今朝，半導(dǎo)體市場(chǎng)依舊需求龐大，相關(guān)企業(yè)仍在努力加大投入，擴(kuò)張業(yè)務(wù)規(guī)模，研發(fā)更先進(jìn)的技能。值得一提的是，本年7月，臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1867億新臺(tái)幣（折合人民幣約423.7億元），同比增長(zhǎng)49.9％，環(huán)比增長(zhǎng)6.2%。本年1-7月，臺(tái)積電營(yíng)收總計(jì)1.21萬(wàn)億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)41.1%。
近期，媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電N3E工藝良率超預(yù)期，N3E SRAM的良率明明高于N3，個(gè)中256Mb SRAM的平均良率約為80%。
據(jù)相識(shí)，臺(tái)積電N3E工藝為N3工藝的增強(qiáng)版。相關(guān)資料顯示，N3E的晶體管數(shù)量固然比第一代3納米制程淘汰約8%，但仍較5nm制程晉升了約60%，且淘汰了4層EUV光罩，使其將成為臺(tái)積電更具本錢及出產(chǎn)效率優(yōu)勢(shì)的重要節(jié)點(diǎn)。今朝來(lái)看，臺(tái)積電N3制程估量將在本年第三季下旬投片量開(kāi)始大幅拉升，第四季月投片量將達(dá)上千片水準(zhǔn)，進(jìn)入量產(chǎn)階段。
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